SAMSUNG - SO-DIMM 2GB Samsung DDR3-1600 CL11 (256Mx16) LV (1,35V)

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SAMSUNG - SO-DIMM 2GB Samsung DDR3-1600 CL11 (256Mx16) LV (1,35V) - - M471B5674EH0-YK0 E-Die 204PIN 4C/SS 1R 1,35V 1,18" Pb-/Halogen-free RoHS PC3-12800 Warranty 2Y - Chiphersteller:Samsung , Chiporganisation:256Mx16 , Datenintegritätsprüfung:non-ECC , Formfaktor:204pin SO-DIMM , Geschwindigkeit:DDR3-1600 (PC3-12800) , Gewährleistung:2 Jahr(e), ISO9001:ISO9001 , Jedec-Norm:JEDEC Norm , Kapazität:2GB , Latenzzeit:CL11 , Hersteller:Samsung , Modulkonfiguration:Single Rank , Modulmaße:67,6 x 30 x 3,8 mm, RAM-Merkmale:unbuffered , Technologie:DDR3 SDRAM , Typ:SO-DIMM , Versorgungsspannung:1,35 V,

 

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